1mm InGaAs PIN fotodiode TO46

Produktoversigt-1mm InGaAs PIN-fotodiode TO46

1 mm InGaAs PIN-fotodiode (model BPD-1STO46B-FW) fra Box Optronics er en højtydende InGaAs-fotodetektor designet til nær-infrarød (NIR) detektionsapplikationer. Med en PIN-diodestruktur konverterer den indfaldende optisk effekt i bølgelængdeområdet 900-1650nm til en proportional fotostrøm med høj linearitet og følsomhed. Med et aktivt område på 1 mm i diameter. Pakket i en hermetisk TO46-metaldåse med et fladt optisk vindue, er fotodioden mekanisk robust, hvilket sikrer stabil ydeevne under krævende industrielle og laboratorieforhold. Disse egenskaber gør det til et fremragende valg til optisk effektovervågning, fiberoptisk testmåling, laserdetektion og NIR-spektroskopi.

Nøglefunktioner-1 mm InGaAs PIN-fotodiode TO46

• Aktivt områdes diameter: 1 mm for effektiv lysopsamling

• Bredt spektralt responsområde: 900nm til 1650nm

• Høj reaktionsevne: 0,9A/W typisk ved 1310nm, 0,95A/W ved 1550nm

• Ultralav mørk strøm, lav krydskapacitans

• Høj pålidelighed og langsigtet stabilitet

• Hermetisk TO46 metalpakke med fladt vindue

• Standard TO-CAN-konfiguration for nem montering

Typiske anvendelser-1 mm InGaAs PIN-fotodiode TO46

• Optiske strømmålere og optiske strømovervågningsmoduler

• Fiberoptisk test- og måleudstyr

• Optisk signaldetektering og strømovervågning i telekommunikationssystemer

• Nær-infrarød (NIR) spektroskopi og analytiske instrumenter

• Laserstrømovervågnings- og kontrolsystemer

• Optisk dæmperkalibrering og karakterisering

• Forskning og udvikling i fotoniklaboratorier

• Optisk modulintegration og udvikling af fotoniske delsystemer

Tekniske specifikationer-1 mm InGaAs PIN-fotodiode TO46

Absolutte maksimumvurderinger (TC = 25°C)

Elektro-optiske egenskaber (TC = 25°C)

Produktdetaljer-1 mm InGaAs PIN-fotodiode TO46

Hvad er en InGaAs PIN-fotodiode?

En InGaAs PIN-fotodiode er en højfølsom halvlederdetektor designet til nær-infrarød (NIR) optisk detektion. Baseret på en P-I-N halvlederstruktur konverterer den indfaldende fotoner til fotostrøm med fremragende linearitet og stabilitet.

InGaAs-fotodioder, der opererer fra 900nm til 1700nm, giver høj responsivitet på tværs af de optiske kommunikationsbånd og SWIR-regionen, hvilket gør dem velegnede til fiberoptisk testning, optisk effektovervågning, spektroskopi og sensingapplikationer.

Det aktive område på 1 mm tilbyder forbedret lysopsamlingsevne og forbedret koblingstolerance, hvilket giver en fremragende balance mellem følsomhed, tilpasningsfleksibilitet og detektionshastighed.

Ydeevne højdepunkter-1 mm InGaAs PIN fotodiode TO46

• Høj responsivitet og kvanteeffektivitet

• Ultra-lav mørk strøm

• Lav kapacitans og hurtig respons

• Bred spektral dækning

• Hermetisk TO46-pakke

Pakkedimensioner og pindefinition-1 mm InGaAs PIN-fotodiode TO46

Pakketype: TO46 hermetisk metaldåse, fladt vindue (TO-CAN 3-benet)

Dåsediameter: φ5,4 ± 0,2 mm (ydre), φ4,7 ± 0,1 mm (indvendig)

Vindues diameter:φ3,9 ± 0,1 mm

Benkonfiguration (set forneden): Ben 1 = Anode (P-side), Ben 2 = Hus (GND), Ben 3 = Katode (N-side)

Bestillingsinformation

Modelnomenklatur

BPD - X X TIL XX - X - X

Eksempel: BPD-1STO46B-FW

Datablad-1mm InGaAs PIN fotodiode TO46

Datablad

Ledetid

• Standardenheder (modeller på lager): 3-5 arbejdsdage

• Standardproduktion: 10~15 arbejdsdage

• Mængdeordrer: Kontakt venligst for produktionsplan

• International forsendelse: ~5 hverdage (DHL/UPS/FedEx Express)

• Hurtig service: Tilgængelig efter anmodning

Betjeningsnoter og håndtering-1 mm InGaAs PIN-fotodiode TO46

• Fotodioder er enheder, der er følsomme over for elektrostatisk afladning (ESD) – brug altid korrekt ESD-beskyttelse

• Undgå at berøre ledningerne direkte med bare fingre for at forhindre kontaminering og ESD-skade

• Opbevar ubrugte enheder i ESD-sikker emballage eller ledende bakker for at forhindre beskadigelse af elektrostatisk udladning